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氧化镓

CAS #: 12024-21-4
分子式: Ga2O3
EC No.: 234-691-7
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产品详情

氧化镓是一种无机化合物,化学式为Ga2O3。白色三角形的结晶颗粒。不溶于水。微溶于热酸或碱溶液。熔点1900℃(在600℃时转化为β型)。易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。有α,β两种变体。α型为白色菱形六面体。

应用领域

1、用于LED荧光粉中的激活剂使用

2、用于特殊闪烁晶体或者激光晶体的原料使用。

产品系列

产品产品代码安全数据技术数据
氧化镓 99.99%ET-Ga-01

氧化镓.pdf

氧化镓99.99%.pdf

氧化镓 99.999%ET-Ga-02

氧化镓99.999%.pdf

 

属性(理论)

分子式Ga2O3
分子量187.44
外貌White Powder
熔点1,900° C (3,452° F)
沸点N/A
密度5.88 g/cm3
精确质量187.835  g/mol
单同位素质量185.835906  Da


健康与安全信息

信号词N/A
风险声明N/A
危险代码N/A
防范说明N/A
闪点N/A
风险代码Not applicable
安全声明N/A
RTECS 编号N/A
运输信息NONH
WGK 德国2


包装规格

成品包装:50公斤/桶、500公斤/托盘、吨袋包装

样品包装:500克/袋,1公斤/瓶



关于氧化镓
d1.jpg
氧化镓是金属镓的氧化物,同时也是一种半导体化合物。其结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种,其中,β结构最稳定。与氧化镓的结晶生长及物性相关的研究大部分围绕β结构展开。研究人员曾试制了金属半导体场效应晶体管,尽管属于未形成保护膜钝化膜的简单结构,但是样品已经显示出耐压高、泄漏电流小的特性。在使用碳化硅和氮化镓制造相同结构的元件时,通常难以达到这些样品的指标。
氧化镓制备主流方法:按β-Ga2O3照晶体生长过程中原料状态的不同,可以将晶体生长方法分为:溶液法、熔体法、气相法、固相法等。熔体法是研究最早也是应用最为广泛的晶体Chemicalbook生长方法,也是目前生长β-Ga2O3体块单晶常用的方法。通过熔体法可以生长高质量、低成本的β-Ga2O3体块单晶,其中最为常用的生长方法主要有两种:提拉法和导模法。
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