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(来源:期刊-《硅酸盐学报》-第45卷第10期)
李 剑,代雨航,朱忠丽
(长春理工大学化学与环境工程学院,长春 130022)
摘 要:采用柠檬酸燃烧法制备了(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体,并确定其制备工艺条件为:煅烧温度1000℃,Gd3+、Tm3+、Yb3+掺杂的摩尔分数分别为 20%、4% 、5%。以此条件得到的粉体的平均粒径约65nm。粉体的发射光谱表明:在980nm激发源激发下,在484nm处得到的蓝光,对应于Tm3+的1G4→3H6能级跃迁;在658nm处得到的红光,对应于Tm3+的3F2→3H6能级跃迁。用制备的粉体作为原料,采用真空烧结法制备(GdY)2O3:Tm,Yb陶瓷,其烧结工艺条件为:烧结温度为1750 ℃,保温20h。制备的陶瓷在400~3300nm波长范围内的平均透过率为71%。
关键词:铥-镱双掺杂;氧化钆钇;柠檬酸燃烧法;冷等静压-真空烧结法;光谱性能
随着医学、照明、军工等领域的高速发展,迫切需求性能优异的光学材料。透明陶瓷制备工艺简单,可均匀掺杂高浓度的稀土离子,使其具有很高的发光强度。近些年来,透明陶瓷因其优异的性能受到众多研究人员的青睐[1]。目前,关于掺稀土的Y2O3 透明陶瓷的研究报道很多,但是普遍存在粉体粒径大、分散性不好,以及陶瓷烧结温度过高、透过率较低和发光强度不高等问题。向Y2O3中掺入 Gd2O3 ,可以降低陶瓷的烧结温度[2] ,降低陶瓷中气孔对光的散射,从而提高陶瓷透过率和激光性能、降低生产成本[3-4]。
Tm3+在980 nm 处的吸收截面很小,对激发源的能量吸收率很低。Yb3+ 能够大比例吸收 980 nm激发源的能量,与 Tm3+ 的多个能级适配度高,使 Tm3+ 的上转换发光效率有很大提高。因此, Yb3+-Tm3+掺杂的上转换发光材料具有很高的研究价值[5-7]。
Jeong 等[8] 用固相反应法制备了(GdY)2O3 :Eu 透明陶瓷,并研究了掺杂 Li+对(GdY)2O3 :Eu发光性能的影响。Kopylov 等[9]采用真空烧结技术制得 Y2O3 :Nd 陶瓷,并研究了不同沉淀剂对纳米粉结构 的影响。Lin 等[10]制备出Y2O3 :Tm,Yb 透明陶瓷,在464 nm 激发光照射下实现了1 030 nm 近红外发光。Balabanov 等[11]采用自蔓延高温法合成了(LaY)2O3:Yb 纳米粉,微波烧结制得透明陶瓷。Ivanov 等[12]制备的(LaY)2O3 :Yb 透明陶瓷,在 800 nm 处透光率达到了82.7%。目前,国内外关于掺 Tm3+ 、Yb3+ 的氧化钆钇透明陶瓷的报道很少。
真空烧结法与常用的热等静压烧结法相比,设备操作简单,不需要充入气体、真空状态时坯体内部残留的气体容易被排出,有利于陶瓷的致密化,同时也减少了陶瓷坯体内部的气孔,可以提高陶瓷透过率。本研究采用冷等静压真空烧结技术制得(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷,研究烧结温度、Gd3+掺杂量对陶瓷结构、透明度和发光特性的影响。
1 实验
1.1 粉体制备
将称量好的纯度为 99.999%的Tm2O3 、Yb2O3、 Y2O3 和 Gd2O3 粉末溶于适量的浓度为 6 mol/L 的 HNO3 中,80 ℃水浴加热,得到透明溶液。向该溶液中依次加入称量好的柠檬酸和聚乙二醇(PEG)。待其充分溶解后,加入适量氨水调节溶液的 pH 值为9,将溶液置于磁力搅拌器上以60 ℃恒温搅拌至形成溶胶。将溶胶置于烘箱中280 ℃烘烤 2h。将得到的灰黑色粉末研磨 1 h,置于马弗炉中1000 ℃煅烧2 h,得到(GdY)2O3 :Tm,Yb 纳米粉体。
1.2 陶瓷制备
在制得的(GdY)2O3 :Tm,Yb 纳米粉体中加入质量分数为0.5%的 Si(OC2H5)4 作为烧结助剂,并添加 适量无水乙醇,经充分搅拌、研磨、干燥后将粉料 放入φ10 mm 的压片模具中,以 15 kN 的压力压制 15 min,得到尺寸为φ10 mm×3 mm 的素坯。将素坯放入排尽空气的气球,并在 200 MPa 下冷等静压恒 压 15 min,然后进行真空烧结,烧结的工艺条件如 图 1 所示。
1.3 样品表征
采用 D/max-IIB 型X 射线衍射仪分析Gd3+掺 杂量不同对(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体结构的影响。用XL30ESEM-FEG型场发射扫描电子显微镜观察不同温度对(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体和陶瓷的表面结构的影响。用 F-7000 型荧光光谱仪分析 Tm3+和 Yb3+掺杂量不同对(GdY)2O3 :Tm,Yb 的激发和发射光谱的影响。采用 TRIAX541 型荧光光谱仪测试 (GdY)2O3 :Tm,Yb 的上转换荧光光谱,所用光源为980 nm 激光器。采用 Cary5000 型紫外-可见-近红外光谱仪测试(GdY)2O3 :Tm,Yb 的透过率和吸收光谱。
2 结果与讨论
2.1 粉体煅烧温度的选取
图 2 和图 3 分别为不同煅烧温度下制备的 (GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体的 XRD 谱和 SEM 照片(Gd3+、Tm3+和Yb3+摩尔分数分别为 20% 、4%、5%)。


由图 2 可知,温度为 800 和 900 ℃时,粉体已形成明显的衍射峰,但强度较低,900 ℃时特征峰附近有杂峰。这说明制备出的(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体已经开始结晶,但晶化程度较低。当温度达到 1 000 和 1 100 ℃时,粉体衍射峰的强度增大且很尖锐,特征峰附近的细小杂峰消失,衍射峰位置与标准卡片基本一致。说明 1 000 和 1 100 ℃时,得到了结晶度较高的立方晶系粉体。
从图 3 可以看出,煅烧温度为 800 ℃时,有颗 粒大量团聚的现象,这是由于温度较低,结晶不完全导致的。温度为 900 ℃时,颗粒的团聚现象减弱,但形状仍不规则。温度为 1 000 ℃时,有大小分布均匀的球状颗粒生成。当温度达到 1 100 ℃时,生 成的粉体颗粒形状不再为规整球形,而向着椭球形发展。通过对粉体 XRD 谱和 SEM 照片综合对比, 本研究选取1 000 ℃为(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体制备的 煅烧温度。
2.2 Gd3+掺杂量的选取
图 4和图 5分别为 Gd3+掺杂量不同时制备的 (GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体 XRD 谱和 SEM 照片(Tm3+ 、 Yb3+ 的摩尔分数分别为 4%、5%)。由图 4 可以看出,粉体的衍射峰位置与标准卡片相比基本相同,衍射峰的相对强度一致,可以判定制备的(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体为立方相结构。Gd3+掺杂量为 10%时,粉体的衍射峰强度较低,说明此时粉体结晶度不好。掺杂20%Gd3+ 时,粉体的衍射峰尖锐,且强度较之其它 4 组高,晶化程度最高。Gd3+掺杂为 30%~50%时,粉体衍射峰强度依次降低,且逐渐有细小杂峰出现。



图 5 不同 Gd3+掺杂量的(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体的 SEM 照片
Fig. 5 SEM photographs of (GdY)2O3 :Tm,Yb powders doped
with different Gd3+ amounts
由图 5 可以看出,Gd3+掺杂量为10%、20%时,粉体颗粒为规则球状,大小均匀。掺杂 30%Gd3+ 时,粉体颗粒大多数成饼状,大小不均匀,有少量团聚现象。掺杂 40%Gd3+和 50%Gd3+(掺杂 50%Gd3+样品 的照片已略)时,粉体颗粒形状不规则,团聚现象严重。因此,本研究选取Gd3+掺杂量为20%。
2.3 Tm3+掺杂量对粉体发光性能的影响
图 6和图 7分别为掺杂不同摩尔分数Tm3+ 的(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体的激发光谱和发射光谱(Yb3+ 掺杂量为 5%)。由图 6 和图7 可见:监测波长 456 nm 下,(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体在 360 nm 产生最强激发峰,归属于Tm3+ 的 3H6→1D2 的跃迁。360 nm 光激发下,在454 nm 处产生最强发射峰,归属于Tm3+ 的1G4→3H6 跃迁。当Tm3+掺杂量不同时,粉体的荧光谱 峰强度变化规律相同。Tm3+掺杂量从2%到4%,样品的荧光谱峰强度均增大,在掺杂量为4%达到最高值;从4%增加到 6%、8%时,荧光谱峰强度均依次减弱。在 Tm3+–Yb3+能量传递过程中,随着Tm3+掺杂量的增加,离子间距变小,使得 Yb3+激发态能级寿命减小,影响两离子的能量传递。本研究选取Tm3+掺杂摩尔分数4%为(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体的制备条件[13]。


2.4 Yb3+掺杂量对粉体发光性能的影响
图 8 为掺杂不同 Yb3+摩尔分数的(GdY)2O3 :Tm, Yb 粉体的上转换光谱。在484 nm出现的较强蓝光发射峰,归属于Tm3+ 的 1 G4→3H6 跃迁;在658 nm 处出现了较弱的红光发射峰,对应于Tm3+ 的 3F2→3H6 跃迁。Yb3+掺杂量不同时,发射的蓝光强度相近,但在 Yb3+掺杂5%时红光强度最强。因此,本研究选取Yb3+掺杂摩尔分数5%为(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体的制备条件。

图 9为 Tm3+ 、Yb3+ 能级跃迁示意图。由图 9 可以看出,Tm3+-Yb3+ 的跃迁机制是:1) Yb3+ 受激发后,发生 2F7/2→2F5/2 能级的跃迁,再从 2F5/2 回到 2F7/2 ,辐射的能量传递给 Tm3+ ;2) Tm3+ 发生 3H6→3H5 跃迁,无辐射弛豫回到 3F4,吸收 1 个光子跃迁到 3F2,再发生 3F2→3H6 跃迁,产生红光辐射。3) 3F4 能级吸收 1 个光子,跃迁到 3F2 能级,发生无辐射弛豫到 3H4,再吸收 1 个光子,跃迁到 激发态 1 G4 ,最后发生 1 G4→3H6 跃迁,产生蓝光辐射。

2.5 烧结温度对陶瓷质量的影响
图10 和图11 分别为不同烧结温度的 (GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷的实物照片和 SEM 照片。由图10 和图11 可以看出,当烧结温度为1 550 ℃时,制备的(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷透明度较低,这是由于烧结温度比较低,陶瓷内部的气体不能完全排出,导致粉体颗粒无法长大,所以陶瓷结构没有形成。当温度为1 650 ℃时,陶瓷的透光性比1 550 ℃时 要稍好,晶界开始形成,但有较多气孔。1 750 ℃ 时制得的陶瓷透光性优于前两者,并且晶界清晰,几乎无气孔,说明粉体内部的气体和杂质随着烧结温度的升高被逐渐排出,晶粒生长良好,陶瓷的内部结构也变得更加紧凑。本研究选取1 750 ℃为(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷的烧结温度。


图 11 不同温度烧结 20 h 的(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷的 SEM照片
Fig. 11 SEM photographs of (GdY)2O3:Tm,Yb ceramics sintered at different temperatures for 20 h
2.6 (GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷的透过率
图 12 和图 13 分别为抛光后的(GdY)2O3 :Tm,Yb 透明陶瓷的实物图照片和透过率曲线。由图13 可以看出,经过抛光处理后的(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷在 400~3 300 nm 范围内有良好的透光性,平均透过率达到 71%。在波长 1 050 nm 处,陶瓷透光率达到了最高值 76%。

2.7 (GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷吸收光谱和上转换光谱
图14为(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷的吸收光谱。从图14 可以看出,Tm3+在波长分别为685 和776 nm (796 nm)处出现了吸收峰,分别对应于 3H6→3F2, 3F3、 3H6→3H4 能级跃迁;Yb3+在波长分别为977 nm (907、 951 nm)和 1 211 nm (1 180 nm)处出现了吸收峰,分别对应 Yb3+ 的 2F7/2→2F5/2 跃迁和Tm3+ 的3H6→3H5 跃迁[10, 14]。

图 15为(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷和粉体的上转换光谱对比图(Yb3+ 、Tm3+掺杂量分别为5%和4%) 。从图 15 可知,陶瓷和粉体样品的上转换光谱发射峰的位置基本一致,陶瓷样品的发射峰强度明显高于粉体。这是由于用来烧制陶瓷的粉体样品结晶度较高,粒径大约为 65 nm,且颗粒均匀团聚少,因此烧成的陶瓷样品内部基本没有气孔,有效地减少了可见光的折射和漫反射,从而显著提高了样品的上转换发光强度。

3 结论
采用柠檬酸燃烧法制得的(GdY)2O3 :Tm,Yb 粉体的颗粒基本呈球形、团聚少,其平均粒径约为65 nm。粉体的激发和发射光谱表明:在360 nm 处 出现的强激发峰,对应于Tm3+ 的 3H6→ 1D2 跃迁。在 454 nm 处出现的强发射峰,对应于Tm3+ 的 1 G4→3H6 跃迁。确定(GdY)2O3 :Tm,Yb 陶瓷烧结的工艺条件为:烧结温度为 1 750 ℃,保温2h。制得的陶瓷在可见光波段和红外光波段的平均透过率为71% ,其上转换发光强度相比粉体显著增强。
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