在AI大模型参数突破千亿级的算力时代，“内存墙”瓶颈正成为制约芯片性能的核心难题。近日，我国在氧化物半导体领域取得重大突破：中科院上海光机所与杭州富加镓业成功制备出8英寸氧化镓单晶，为重构存储与计算架构提供了关键材料基础。

一、内存墙困境倒逼材料创新

随着生成式人工智能的爆发，传统计算架构中数据在处理器与存储器之间的频繁搬运，导致能耗远超实际计算本身，形成所谓的“内存墙”困境。以铟镓锌氧化物为代表的氧化物半导体，凭借其与后端互连工艺（BEOL）兼容、工艺温度低于400°C等特性，成为突破该瓶颈的关键使能技术。

二、8英寸氧化镓单晶：产业化里程碑

中科院上海光机所与杭州富加镓业团队，在国际上首次采用垂直布里奇曼法成功制备出8英寸氧化镓晶体，一年内实现从3英寸到8英寸的快速迭代。该方法无需使用昂贵的铱金，生长过程稳定，被认为是低成本、规模化生产的理想路径。8英寸尺寸直接适配当前主流硅基产线，大幅降低应用成本，加速产业化进程。

三、功率器件与P型材料双线突破

在器件层面，中科院苏州纳米所研制出高性能垂直结构氧化镓晶体管与二极管，实现低漏电、高击穿电压，创下比导通电阻纪录，为新能源汽车、智能电网等高压功率场景提供新方案。同时，电子科技大学刘奥团队在《自然》期刊发表成果，突破非晶体系P型氧化物材料瓶颈，成功集成全氧化物CMOS电路，为柔性电子、存算一体芯片奠定基础。

四、产业生态加速成型

上海、合肥等地已出台专项政策，将氧化镓列为重点发展材料，并给予高额研发与产业化支持。富加镓业、三安光电等企业正加快建设产线，初步形成从装备、衬底到器件验证的完整链条。国家战略与地方园区合力推动，使中国在超宽禁带半导体领域形成系统布局。

结语：

从8英寸单晶制备到功率器件、P型CMOS的全面突破，中国正以氧化镓为代表，走出一条从传统“计算+存储”平面架构，迈向逻辑、存储、传感深度融合的“计算立方体”时代的技术新路径，为国产芯片实现弯道超车提供坚实支撑。

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