β-氧化镓（β-Ga2O3）材料和器件技术取得了快速发展，其禁带宽度EG=4.9eV，远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV)，其导电性能和发光特性良好，具有很强的电子学、光学和热学性能。它具有高折射率、可调谐的拉曼散射响应、低的漏电流和以非常稳定的外延特性。它还具有出色的小波纹动态动态特性和高的发射效率。此外，它还具有很高的压集能和硒的抗氧化能。

氧化镓(Ga2O3)单晶的应用领域主要有：激光器件、加速器和雷达系统、传感器、可视化图像传感器、天线、滤波器和片上电路。此外，它还广泛应用于光学技术——它可用于制造变形镜、BK7镜片、视频镜头控制器和高性能成像系统。

1.使用/应用

氧化镓(Ga2O3)单晶的应用领域主要有：激光器件、加速器和雷达系统、传感器、可视化图像传感器、天线、滤波器和片上电路。此外，它还广泛应用于光学技术——它可用于制造变形镜、BK7镜片、视频镜头控制器和高性能成像系统。

2.特点/优势

是一种直接宽带隙半导体材料，具有极大的击穿电场，易于获得大尺寸晶体。